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低分子環状シロキサン分析

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身の回りに使用されているシリコーン製品から発生する低分子環状シロキサンは、電子部品の接点不良の原因となるため、部品から発生する量や大気中の濃度を把握する必要があります。

電気接点障害のイメージ図Fig.1 電気接点障害のイメージ図

【測定対象シロキサン】 (測定対象はご相談下さい)
 環状シロキサン3量体~10量体 (D3~D10)
 環状シロキサン3量体~20量体 (D3~D20)

低分子シロキサンとは

  • 珪素と酸素を骨格とする化合物で、Si-O-Si結合 (シロキサン結合)を持つ化合物の総称
  • 低分子シロキサンとは、重合した分子数が20個までのもので、鎖状と環状のものがある
  • 沸点は高いが、ガス化しやすい

環状シロキサン4量

Fig.2 D4:環状シロキサン4量 (オクタメチルシクロテトラシロキサン)

分析メニュー

1. 製品・部品中に含まれるシロキサンの定量

使用する製品・部品に含まれるシロキサンの含有量を定量します。
※合わせて接点不良個所の観察・解析サービスも行っております。

溶媒抽出Fig.3 溶媒抽出

2. 環境空気中に含まれるシロキサンの定量

製品を使用している環境、作業現場、装置内部、制御盤内部など、環境空気中のシロキサン濃度を測定します。

捕集管による捕集Fig.4 捕集管による捕集

3. 排ガス中に含まれるシロキサンの定量

下水処理場の消化槽 (嫌気発酵槽)の消化ガスなど、ガス中のシロキサンを定量します。

サンプリングバッグによる捕集Fig.5 サンプリングバッグによる捕集

4. 製品・材料から発生するシロキサンの定量

製品・材料から発生するシロキサンの量を、ご指定の温度で測定します。
温度による発生量の変化を把握できます。

加熱脱着法Fig.6 加熱脱着法

ヘッドスペース法Fig.7 ヘッドスペース法

※チャンバー法による前処理も対応致しますので、ご相談下さい

シリコーンゴム加熱時発生ガスのGC-MS測定例 ガスクロマトグラムFig.8 シリコーンゴム加熱時発生ガスのGC-MS測定例 ガスクロマトグラム(TIC)

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シロキサンサンプル採取方法

お客様自身でも採取可能です。
ご要望に応じた採取キットを弊社よりお送りいたします。

サンプル採取方法Fig.9 ガスサンプリングバッグによるサンプリング        Fig.10 捕集管によるサンプリング