CASES
電子基板の観察
局所部位の観察にSTEMを利用する場合、透過像を得るためにサンプルの薄膜化が必要です。当社では、FIBを用いて電子基板等の局所部位の薄膜化及びSTEM観察による局所部位の観察サービスを実施しています。
外観写真・分析概要
収束イオンビーム装置(FIB)を用いて、電子基板の対象部位を採取・薄膜化し、走査透過型電子顕微鏡(STEM)で観察・投影を行いました。
分析結果
透過像、組成像、二次電子像で100,000倍の観察・撮影した画像を示します。
Fig.1 透過像(100,000倍)
Fig.2 組成像(100,000倍)
Fig.3 二次電子像(100,000倍)
二次電子像(Fig.3)では観察対象部位である端子部分と周囲のコントラストの差が小さく、はっきりと端子部位を確認できませんが、透過像(Fig.1)では端子部位と周囲とのコントラストがあり、観察対象部位の端子部分が明確に確認できます。また、組成像(Fig.2)は透過像(Fig.1)と白黒反転した画像になります。観察対象と目的に応じて、観察像を選択して、最適な方法の提案・報告をさせていただきます。
用途例
- 電子基板、セラミック