CASES
SiC表面の酸化膜厚測定
透過電子顕微鏡(TEM)は、照射した電子線の薄膜試料への透過率の違いを透過電子を利用して像を得る方法で、回折された電子線を回折パターンとして得る事により物質内部の形態・結晶などが分かります｡絞りの切り替えにより透過線からのTEM像、回折電子線からの電子回折像が得られます。
Fig.1 透過電子顕微鏡(TEM)原理図
分析概要
SiCは加熱するにつれ重量が増加します。重量増加が酸化膜によるものであるか確認するため、酸化膜の厚みをTEMを使用して測定しました。
分析結果
Fig.2 加熱後の酸化膜測定＠加熱温度 : 1000 ℃
TEMにより「nm(0.001 um)」レベルまで観察することで、SiC表面の酸化膜厚が測定され、重量が増加するにつれ酸化膜厚が厚くなることが確認できました。
用途例
- 極微少物の観察
- 極微小膜厚の測定
※前処理加工、観察・測定の可否に関しては専門の技術者が対応いたします。